Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В



страница1/34
Дата15.04.2013
Размер3.51 Mb.
ТипДокументы
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   34
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов

Абрамова В.В.

Студент

Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова,

Факультет Наук о Материалах, Москва, Россия

E–mail: abramova.vera@gmail.com

Фотонные кристаллы – это материалы с пространственно-периодической структурой, характеризующиеся изменением коэффициента преломления в масштабах, сопоставимых с длинами волн света видимого и ближнего инфракрасного диапазонов. Основным свойством фотонных кристаллов является наличие в спектрах их собственных электромагнитных состояний фотонных запрещенных зон. Благодаря этому фотонные кристаллы часто рассматриваются в качестве оптических аналогов электронных полупроводников, а значит – как основа принципиально новых устройств оптической передачи и обработки информации: высокоэффективных светоизлучающих элементов, низкопороговых лазеров, оптических волноводов и др.

Существует ряд подходов к созданию фотонных кристаллов. Наиболее простыми, эффективными и дешевыми являются методы, основанные на самосборке субмикронных частиц, в частности, микросфер. Структуры, получаемые самосборкой субмикронных микросфер, называют опалами по аналогии с природными материалами аналогичного строения. Число структур, которые можно получить таким образом, достаточно ограничено – ГЦК, ГПУ, СГПУ, ОЦК. Теоретически оптимальные оптические свойства предсказаны для идеальной ГЦК структуры инвертированного опала – материала, в котором сферические пустоты окружены веществом с высоким коэффициентом преломления. В то же время значительный интерес связан также и с изучением бинарных опалов – материалов на основе микросфер двух типов, открывающих путь к созданию множества новых структур. Однако все подходы, основанные на самосборке, характеризуются существенным недостатком – дефектностью получаемых структур. Дефекты в первую очередь обусловливают возникновение внутри запрещенной зоны разрешенных состояний, приводящих к неконтролируемому изменению оптических свойств и тем самым затрудняющих дальнейшее применение опалов в качестве фотонных кристаллов. Поэтому важнейшими задачами являются создание подходов к характеризации структуры опаловых материалов и разработка методов ее улучшения.

В данной работе были синтезированы и исследованы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе опалов, инвертированных опалов и бинарных опалов. Синтез опалов и бинарных опалов проводился методом вертикального осаждения микросфер на основе полистирола и диоксида кремния. Инвертированные опалы на основе различных оксидных материалов (TiO2, SiO2, WO3, Fe2O3, ZnO и др.
) были получены с использованием полистирольных опалов в качестве темплатных матриц по следующей общей схеме: (1) пропитка жидким прекурсором пленочного полистирольного опала и (2) низкотемпературный отжиг, приводящий к удалению полистирольной матрицы и образованию инвертированного опала желаемого состава. Состав инвертированных опалов контролировался методом рентгенофазового анализа. Локальная структура образцов, а также характеризация процессов, происходящих при инвертировании опалов, производилась методом сканирующей электронной микроскопии. Для исследования внутренней структуры образцов (определения упаковки, типа чередования слоев, выявления дефектов и пр.) и ориентации доменов в образцах на макроуровне в данной работе были предложены дифракционные методы – лазерная и малоугловая рентгеновская дифракция. Оптические свойства были исследованы методом оптической спектроскопии.

Рост из газовой фазы и исследование тонких пленок соединений со структурой перовскита на (001) MgO

Адаменков А.А.

Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова,

Факультет наук о материалах, Москва, Россия
E–mail: disconnect555@mail.ru

Активно развивающаяся в настоящее время технология получения длинномерных проводов на основе ВТСП состава YBa2Cu3O7-x основана на получении оксидных покрытий на текстурированных лентах. В настоящее время в мире разработаны технологические подходы, позволяющие получать ВТСП-ленты длиной до нескольких сотен метров. Однако нередко для получения оксидных слоев используются физические методы осаждения, требующие высокого вакуума. Более доступным подходом, позволяющим получать плёнки высокого качества, является метод химического осаждения из паровой фазы металлорганических соединений (англ. MOCVD). Термодинамическая несовместимость металлического никеля и соединения YBa2Cu3O7-x приводит к необходимости создания промежуточного или буферного слоя между металлической лентой и плёнкой ВТСП. При этом к буферному слою предъявляется ряд требований, например близость параметров элементарной ячейки к YBa2Cu3O7-x, химическая инертность и т. д.

Целью данной работы является исследование особенностей получения тонких пленок в ряду LaCrO3, LaMnO3, LaFeO, LaCoO3, LaNiO методом MOCVD в качестве буферных слоёв для ВТСП состава YBa2Cu3O7-x при этом планируется синтезировать как чистые пленки состава LaMO3(M = Cr, Mn, Fe, Co, Ni) так и твердые растворы на их основе.

Эксперименты по осаждению тонких плёнок LaMnOпроводили при фиксированных условиях осаждения: T= 812oC, p=3,4 мбар, поток Ar 10 л/ч, поток O2 10 л/ч. Пленки исследовались методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии с рентгеноспектральным микроанализом (РСМА). Тонкие плёнки манганита лантана LaMnO на подложке из текстурированного никеля, покрытого слоем оксида магния, по данным рентгенофазового анализа обладают двумя типами ориентации, при этом преимущественным типом является ориентация (001), с примесью (110). Уменьшение количества ориентации (110) является предметом будущих исследований.

Поиск соединений со структурами срастания на основе Bi2VO5,5

Акинфиев В.C.

Студент

Московский Государственный Университет имени М.В.Ломоносова,

Факультет Наук о Материалах, Россия, Москва

E–mail: Doommer@mail.ru

Сочетание флюоритных и перовскитных слоев встречается в структурах ряда сверхпроводников, но наиболее интенсивно изучаемое на сегодняшний день семейство – фазы Ауривиллиуса, представляющие собой чередующиеся перовскитные и флюоритные слои. Ванадаты висмута проявляют свойства суперионных оксидных проводников, вольфраматы, ниобаты и т.д. – сегнетоэлектриков с высокими точками Кюри.

В то время как структура проводящей фазы ванадата висмута стабилизируется несколькими десятками катионов металлов, вольфрамат висмута практически не поддается легированию, и его свойствами невозможно управлять путем образования твердых растворов.

Один из вариантов решения этой проблемы – поиск соединений с более сложными структурами, так называемая структурно-химическая модификация. Идея состоит в том, что структура типа Ауривиллиуса «разбавляется» слоями других типов, при этом изменяется состав либо самих перовскитных слоев, либо окружающих их слоев типа флюорита. Соответственно, возникает вопрос о взаимном влиянии слоев разного типа в структуре и том, как им можно управлять.

В процессе работы были уточнены экспериментальные данные по системе Bi2VO5,5-Bi2WO6 , взятой в качестве системы сравнения. Было подтверждено, что ванадат в вольфрамате висмута практически не растворим, со стороны же вольфрамата достигается растворимость в ванадате до 20%.

При внедрении галогенидного слоя (Cl) образование соединений типа Bi4V1-xWxOmCl не происходит из-за зарядовой несовместимости слоёв, поэтому была исследована система PbBi3V1-xWxOmCl. Согласно данным РФА, наименьшее количество посторонних веществ в фазе наблюдается при x=0,8, что говорит о небольшой области твёрдых растворов близ x=0,8.

При замещении галогенидного слоя на металл-галогенидный была рассмотрена система Bi4Cs0,6V0,6+xW0,4-xOmCl2. В данном случае наименьшее количество посторонних веществ, согласно данным РФА, оказалось при x=0 и x=0,3, что может говорить как о возможности существования непрерывного твёрдого раствора внутри данного интервала, так и о существовании двух твёрдых растворов близ этих значений x.

Следует отметить, что синтезы соединений, содержащих хлор, проводились в запаянной ампуле (из-за летучести образующихся соединений при высоких температурах) под давлением кислорода (чтобы избежать восстановления ванадия).

Работа выполнена при поддержке РФФИ в рамках проекта № 09-03-01064а.

Гидротермальный синтез и исследование наноструктур оксида цинка, допированного кобальтом

Алексашкин А.Д.

Студент

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,

факультет наук о материалах, Москва, Россия

E-mail: phenix239@gmail.com

В последнее время полупроводниковые наночастицы оксида цинка привлекают все большее внимание исследователей. Оксид цинка это функциональный полупроводниковый материал с уникальными свойствами. Одним из важных направлений исследований оксида цинка является изучение зависимости строения и морфологии его частиц, электрических, оптических и магнитных свойств от условий синтеза и содержания различных добавок, то есть допирования. Допирование ионами кобальта является перспективным способом контролирования как оптических, так и магнитных свойств ZnO.

В настоящий момент для получения допированного нанокристаллического оксида цинка в основном используются методы, требующие больших энергетических затрат и специфических реактивов. Особый интерес представляет метод гидротермальной кристаллизации, который позволяет варьировать в достаточно широких пределах форму и размеры получаемых структур и вести процесс при относительно низких температурах, что позволяет существенно снизить энергозатраты. Настоящая работа была направлена на получение допированных наноструктур оксида цинка гидротермальным методом, установление взаимосвязи между параметрами синтеза, микроморфологией и магнитными характеристиками конечных материалов.

В настоящей работе образцы ZnO с содержанием кобальта от 1 до 10% получали гидротермальной обработкой смеси растворов нитратов цинка и кобальта в среде гексаметилентетрамина. Гидротермальный синтез проводился в изотермическом режиме при температурах 120 и 240 °С. Время синтеза варьировалось от 2 до 12 часов.

По данным рентгенофазового анализа в результате гидротермального синтеза во всех случаях происходит образование оксида цинка. Следует отметить, что при увеличении содержания кобальта в образцах происходит незначительное изменение параметров кристаллической решетки.

По данным растровой электронной микроскопии гидротермальный синтез при 120°С не приводит к образованию стержнеобразных структур. Увеличение температуры гидротермального синтеза до 240°С приводит к образованию наностержней (длина – 500 нм, диаметр – 120 нм), а увеличение продолжительности синтеза приводит к увеличению среднего размера частиц.

На спектрах фотолюминесценции синтезированных образцов наблюдается интенсивный узкий пик в УФ-области, соответствующий рекомбинации экситонов. Высокая интенсивность УФ-пика по сравнению с пиком в видимой области спектра является отличительной особенностью используемой методики и подтверждает ее практическую важность. Следует отметить, что при увеличении содержания кобальта в образцах до 10% наблюдается сдвиг максимумов пиков, соответствующих рекомбинации экситонов (с 388 нм до 379 нм). Сдвиг в 9 нм в УФ-область может свидетельствовать о вхождении кобальта в структуру оксида цинка.

По данным магнитных исследований допирование оксида цинка кобальтом приводит к появлению в образцах парамагнетизма.

Теоретическое изучение зависимости между внешним давлением и миграцией дефектов в графеновых слоях

Ананьева Ю.Е.

студент

Cибирский федеральный университет, институт цветных металлов и материаловедения, кафедра физической и неорганической химии, Красноярск, Россия

E–mail: zayka_net@pisem.net

На сегодняшний день производство графена – трудоемкий процесс. Образующиеся структуры, как и все реальные кристаллы, обладают дефектами, которые в свою очередь оказывают влияние на свойства материала. Для уменьшения концентрации дефектов либо их локализации предлагается рассмотрение приложения внешнего давления к структуре.

Цель работы заключается в изучении влияния внешнего давления на движение дефектов в графеновых слоях.

Вычисления выполнялись в рамках формализма функционала локальной плотности (DFT) с использованием пакета VASP (Vienna Ab_initio Simulation Package).

Суперячейка имела размерность 4×3 прямоугольных ячейки графена, что соответствовало 12.272×12.754 Å. Расчеты проводились с учетом периодических условий. Параметры суперячейки выбирались так, чтобы исключить взаимодействие между дефектами из различных суперячеек. Для того чтобы исключить взаимодействие между пластинами графена, между ними закладывался вакуумный промежуток равный 10 Å. Для нахождения переходного состояния и потенциальных барьеров при перескоке вакансии в графене был применен метод упругой ленты (nudged elastic band).

Для выявления влияния внешнего давления на движение дефектов в графеновом слое проводилась расчеты с изменением векторов трансляции ячейки вдоль какого-либо из направлений. Рассматривались структуры с уменьшенными и увеличенными векторами трансляции вдоль каждого из направлений.

Было обнаружено, что энергия дефекта у структур без деформации составляет 16.729 eV, у структур с деформацией энергия дефекта меньше (14.933-16.627 eV). В ходе работы рассматривались случаи приложения давления как параллельно пути движения вакансии так и перпендикулярно ему.

Энергетический барьер в случае недеформированного графена составлял 1.168 eV. При приложении внешнего давления (166.39 кВ) в направлении параллельном направлению миграции энергия барьера уменьшается (0.322eV). В случае, когда давление приложено в перпендикулярном направлении наблюдается обратная ситуация, энергия барьера составляет 1.796 eV.

Попытка отжига дефектной структуры может привести к ее разрушению либо хаотичному блужданию дефекта. Деформация оказывает влияние на миграцию дефектов в структуре графена. Таким образом, должна наблюдаться миграция вакансий в область локальной деформации. На основании проведенных расчетов возможно создание метода, позволяющего локализовать дефекты в структуре графена не прибегая к отжигу.
Литература
1. Hashimoto A. (2004) Direct evidence for atomic defects in graphene layers // Nature, Vol. 430, р. 870–873.

2. Kresse, G. (1993) Ab initio molecular dynamics for liquid metals // Phys. Rev, Vol. 47,

p . 558 - 561.

3. Kresse, G. (1993) Ab initio molecular dynamics for open-shell transition metals // Phys.Rev, Vol. 48, p. 13115 – 13118.

4. Kresse, G. (1994) Ab initio molecular-dynamics simulation of the liquid-metal–amorphous-semiconductor transition in germanium // Phys.  Rev, Vol. 49, p.14251.

Релаксационные процессы в твёрдом растворе системы РbZr1-xTixО3 (х=0,495)

Андрюшина И.Н., Андрюшин К.П.

Аспирантка

Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета,

Ростов-на-Дону, Россия

Е-mail: futur6@mail.ru

Объектом настоящего исследования явился твёрдый раствор (ТР) системы ЦТС РbZr1-xTixО3 с х=0,495.

ТР получен по обычной керамической технологии: твердофазный двухстадийный синтез с промежуточным помолом и гранулированием порошков, последующее спекание в воздушной атмосфере без применения давления. Технологические регламенты: синтеза – температуры Т12=870˚C; изотермические выдержки τ12=7 час., спекания – температуры Тсп.=1220˚C, длительность τсп.=3 час. В качестве исходных реагентов использовалось сырье (монооксиды и карбонаты металлов) высокой степени чистоты: PbO – ”осч”, TiO2 – ”осч”, ZrO2 – ”ч”.

Диэлектрические измерения проводились в температурном диапазоне от 160К до 300К на 16 частотах из интервала (1*10-2÷2*108)Гц с помощью универсального измерительного моста Novocontrol ALPHA High-Resolution Dielectric Analyzer, оборудованного системой Novocontrol QUATRO cryosystem для низкотемпературных измерений.



а) б)

Основной особенностью зависимости действительной части диэлектрической проницаемости от температуры ε'(Т) является наличие низкотемпературного максимума (а) и его сдвиг в сторону более высоких температур, уменьшение и размытие (ε/ε0)m с увеличением частоты, f, измерительного поля. Глубина дисперсии (ε/ε0)m изученного состава составляет ∆(ε/ε0)m≈(10,2)%, где ∆(ε/ε0)m=[((εm25Гцm1МГц)/εm25Гц)]*100%. Обнаружен рост тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) с увеличением частоты измерительного электрического поля. Исследования показали, что зависимости температур максимумов (Тm) ε', от частоты в координатах Аррениуса не являются линейными, то есть не описываются законом Аррениуса (б), что свидетельствует о недебаевском характере диэлектрической релаксации в данном материале. В то же время частотная зависимость температур максимумов ε'(Т) хорошо описывается законом Фогеля - Фулчера: f=f0 exp [-Eа/k·(Tm0)], где f0- частота попыток преодоления потенциального барьера, Еа – энергия активации процесса, k- постоянная Больцмана, Тm – температура максимума, Т0 – температура Фогеля – Фулчера, интерпретируемая как температура «статического замораживания» электрических диполей или перехода в состояние дипольного стекла. Расчёт показал, что Еа=0,02эВ, хорошо согласуются, с оценкой Еа, для ТР PMN-PT c х=0.20. В докладе обсуждается природа наблюдаемых явлений.
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   34

Похожие:

Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconЛингвистические особенности перевода английской и американской рекламы
Абрамова Г. А. Метафора в тексте англоязычной рекламы / Г. А. Абрамова. Киев, 1980
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconВзаимные развороты кристаллов и квазикристаллов
Рассмотрены особенности описания взаимных разворотов кристаллов с использованием кватернионов. Получено распределение предельных...
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В icon«Волшебный мир кристаллов»
Окружающий нас мир состоит из кристаллов, можно сказать, что мы живем в мире кристаллов. Жилые здания и промышленные сооружения,...
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconЛитература э. В. Суворов Физические основы современных методов исследования реальной структуры кристаллов, Черноголовка, 1999, 231 с
Э. В. Суворов Физические основы современных методов исследования реальной структуры кристаллов, Черноголовка, 1999, 231 с
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconАбрамова Вера Федоровна см. Миндовская В. Ф. Абрамова Софья Дмитриевна см. Салтычева С. Д
Абросимова Вера Николаевна, ур. Коковина, 9–10, 38, 42, 53, 56–57, 61, 75, 77, 80, 86, 91, 94, 234, 286, 282, 292
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconАнализов предоставленных бесцветных кристаллов Исследование химического состава представленных образцов кристаллов, с помощью энергод

Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconПрограмма семинара "Спектроскопия молекулярных кристаллов: диэлектрики, металлы и сверхпроводники "
Электронные и оптические свойства кристаллов фуллерена и некоторых комплексов на их основе
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconЛ. Конопля Экскурсионная деятельность Карпогорской центральной библиотеки им. Ф. А. Абрамова
Карпогорская Центральная библиотека им. Федора Абрамова – информационный центр для жителей Пинежского района. Библиотека имеет универсальный...
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconМолекулярно-генетические особенности структуры генов патогенности возбудителей коклюша и дифтерии; совершенствование лабораторной диагностики этих инфекций 03. 00. 07 микробиология
Молекулярно-генетические особенности структуры генов патогенности возбудителей коклюша и дифтерии
Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов Абрамова В. В iconАннотация дисциплины «Кристаллография»
«Кристаллография» является формирование теоретических основ и практических навыков в области профессиональной деятельности бакалавров,...
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org