Экзаменационные вопросы по курсу фмс



Скачать 51.32 Kb.
Дата29.04.2013
Размер51.32 Kb.
ТипЭкзаменационные вопросы
Экзаменационные вопросы по курсу ФМС.

1. Нарушение решётки. Дефекты Шоттки, Френкеля. Ассоциации дефектов. Термодефекты.

2. Зависимость подвижности от концентрации примесей, температуры и электрического поля.

3. Эффект сужения ширины запрещённой зоны. Изменение электрического поля в высоколегированном эмиттере.

4. Сложная структура энергетических зон. Рекомбинация в полупроводниках с прямыми и непрямыми переходами.

5. Теория рекомбинации Шокли-Рида-Холла.

6. Глубокие и мелкие ловушки. Сечение захвата нейтральной и заряженной ловушки. Время жизни.

У.Свойства золота в кремнии. Минимальное время жизни.

8. Зависимость времени жизни от уровня инжекции, концентрации примесей и температуры.

9. Постоянная релаксация Максвелла. Выполнение условия электронейтральности в полупроводниках и диэлектриках.

10. Поверхностная рекомбинация. Граничное условие на поверхности. Быстрые и медленные поверхностные состояния.

11. Электростатический потенциал. Малый и большой уровень инжекции. Связь плотности тока с квазиуровнем Ферми.

12. Электрическое поле в объёме полупроводника. Омическое падение и Э.Д.С. Дембера.

13. Уравнения непрерывности для большого и малого уровней инжекции. Диффузионная длина.

14. Эффект модуляции проводимости базовой области. Случай тонкой и толстой базы.

15. Квазиуровни Ферми в области объёмного заряда перехода. Граничное условие Шокли.

16. Биполярная структура с тонкой базой. Граничные условия. Изменение концентрации и плотности тока вдоль базы.

17. Встроенное электрическое поле в базовой области. Случай экспоненциального и гаусова распределения примесей.

18. Ускоряющее и тормозящее поля. Распределение инжектированных носителей при этих полях. Физика работы ДНЗ.

19. Ток рекомбинации в нейтральной области активной базы. Время пролёта. Зависимость коэффициента усиления от тока.

20. Ток инжекции в квазинейтральный эмиттер. Влияние эффектов высокого легирования. Зависимость коэффициента усиления от тока.

21. Ток рекомбинации в области объёмного заряда перехода. Коэффициент усиления транзистора при малых токах.

22. Поверхностная составляющая тока рекомбинации. Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от тока.

23. Разделение составляющих тока рекомбинации с помощью сравнения напряжения Эрли.

24. Разделение поверхностной и объёмной составляющих тока рекомбинации. Проектирование тестовых структур.

25. Эффект оттеснения тока.

26.Структура планарных транзисторов с изоляцией переходом и типа изопланар.

Ток коллектора. Число Гуммеля. 27. Граничное условие при большом уровне инжекции. Изменение коэффициента

усиления биполярного транзистора при больших токах.

28. Эффект сверхтонкой базы.

29.
Изменение электрического поля в пристеночной области изопланарных структур. Связь заряда и потенциала в пристеночной области.

30. Эффект Кирка.

31. Эффект неравномерного распределения тока в структурах с пристеночным эмиттером.

32. Физика встраивания радиационно-индуцированного заряда в окисле МОП-структур.

33. Образование канала в структурах Изопланар-2. Свойства канала. Эффекты нестабильности.

34. Пороговое напряжение МОП структуры. Влияние разности работ выхода, эффективного заряда в окисле и заряда в подложке.

35. ВАХ МОП транзистора. Омическая (крутая область) и область усиления (пологая ). Модуляция длины канала.

36. Стокозатворная хар-ка МОП транзистора. Крутизна. Зависимость крутизны от топологии и напряжения на затворе.

37. ВФХ МОП конденсатора на низких и высоких частотах. Подпороговая область.

38. Влияние подложки на свойства МОП транзистора. Быстродействие МОП транзистора.

39. Эффекты субмикронной длины и ширины канала. Изменение порогового напряжения.

40. Заряд поверхностных состояний. Знак заряда. Методики разделения зарядов в объёме и на поверхности.

41. Пороговое напряжение для МОП транзисторов с поликремниевым затвором. Знаки отдельных составляющих.

42. Нестабильность МОП структур. Временная нестабильность.

43. Свойства биполярного и МОП транзисторов при криогенных температурах.

44. Динамические свойства биполярных транзисторов. Влияние барьерных ёмкостей. Нелинейные эффекты. Свойства диода Шоттки.

45. Четырёхслойная биполярная структура. ВАХ. Включение и выключение.

46. Зависимость напряжения включения четырёхслойной структуры от скорости нарастания напряжения.

47. Физические и конструктивные ограничения линейных размеров элементов микросхем. Закон подобия. Фундаментальные ограничения. Свойства материалов и температура.

48. Виды ионизирующих излучений и их основные характеристики. Энергия. Флюенс. Плотность потока. Экспозиционная и поглощённая дозы.

49. Основные характеристики излучений космоса и ядерного взрыва. Моделирующие установки.

50. Взаимодействие электронного излучения с веществом. Энергия, передаваемая атомам решётки.

51. Механизмы образования дефектов в кристаллах под действием гамма квантов.

52. Пороговая энергия дефектообразования.

53. Поглощенная и экспозиционная дозы при действии рентгеновского излучения.

54. Воздействие протонного излучения. Число вторичных дефектов.

55. Воздействие нейтронного излучения. Кластеры. Модель Кинчина- Пиза.

56. Характеристика радиационных дефектов. Отжиг дефектов.

57. Использование радиационно-термической обработки для повышеия качества микроэлектронных структур.

58. Изменение концентрации, подвижности и времени жизни под действием ионизирующего излучения.

59. Радиацинно-управляемая диффузия. Физика процесса и эксперементальные результаты. Эффект атомов отдачи.

60. Эффект увеличения дозы. Коэффициент увеличения дозы. Критические области микросхем.

61. Ионная имплантация. Теория ЛТТТШ. Критическая энергия. Проекция пробега. Какалирование.

62. Повреждения решётки при имплантации лёгких и тяжёлых ионов. . Формирование аморфного слоя. Каналирование.

63. Ядерное легирование полупроводников. Достоинство и недостатки.

64. Лазерный отжиг. Тепловая модель. Адиабатическое и диффузионное приближения.

65. Объёмное отрицательное сопротивление. Домены и шнуры. Эффект Ганна.

66. Модели встраивания радиационно-индуцированных поверхностных состояний.

Похожие:

Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по курсу "Прикладные вопросы математического анализа"
Экзаменационные вопросы по курсу "Прикладные вопросы математического анализа" (веч спец отд ф-та вмиК, 2005 2006 уч год)
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по курсу «Философия»
Экзаменационные вопросы по курсу «Философия» (С. Л. Катречко; Мехмат – 2009/10; II поток)
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по курсу "Высшая математика"
Экзаменационные вопросы по курсу "Высшая математика" для потока Ф4 (лектор А. С. Леонов)
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы и билеты по курсу всемирной истории 2011/2012 уч г. Экзаменационные вопросы и билеты
Период существования первых государств в древнем Китае – Яо, Шан-Инь и Чжоу (24-8 вв до н э.)
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по курсу «Современная философия и методология науки»
Экзаменационные вопросы по курсу «Современная философия и методология науки» для студентов магистратуры вмк 1г/о 2006-07 уч г. Лектор...
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по лекционному курсу "История первобытного общества"
...
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы Вопросы к экзаменам по курсу "Общая социологии"
Правовое и тоталитарное государство. Специфика социальных изменений в обществе
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы по курсу "Вычислительная математика"

Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconФондовых мошенников отловит фмс
...
Экзаменационные вопросы по курсу фмс iconЭкзаменационные вопросы для до по курсу «Численные методы решения экстремальных задач»

Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org