Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов



Скачать 30.49 Kb.
Дата03.05.2013
Размер30.49 Kb.
ТипЛабораторная работа
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №14

Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов



Цель работы:

  1. Изучить основные свойства электронно-дырочного перехода путем экспериментального исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

  2. Вычислить коэффициент выпрямления, сопротивления постоянному и переменному току.




Рис.1. Рис.2.
На рис.1 показана схема для измерения прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводниковых диодов, а на рис.2 - для обратной ветви.
Обе схемы смонтированы на обратной панели лабораторного стенда и управляются переключателем, расположенным на передней панели стенда. Выбор прямой или обратной схемы обусловливает включение соответствующих пределов измерения используемых приборов. Эти пределы подсвечиваются на стенде.

После подачи напряжения на стенд (включением тумблера под сигнальной лампочкой) необходимо повернуть ручку регулятора напряжения в крайне левое положение (против часовой стрелки), тогда на стенде загорается табло “готовность” к работе. После этого можно приступать к измерению вольтамперных характеристик.

Прямая ветвь характеристики Iпр = f (Uпр),

Обратная ветвь Iобр = f (Uобр).

1. Рабочее задание.





  1. Записать паспортные данные исследуемых диодов;

  2. Вставить исследуемый диод в специальную колодку на передней панели стенда;

  3. Измерить вольтамперные характеристики каждого диода, снимая прямую и обратную ветви;

  4. Построить графики снятых зависимостей;

  5. Вычислить коэффициент выпрямления Квыпр;

  6. Для каждого диода рассчитать сопротивление постоянному току при прямом Rпр и обратном Rобр включении вентиля;

  7. Для каждого диода определить сопротивление переменному току в заданной рабочей точке вольтамперной характеристики;

  8. Сравнить исследованные полупроводниковые диоды между собой по полученным параметрам.



2. Методические указания.





  1. При всех измерениях необходимо помнить, что нельзя превышать ток диода Iпр выше номинального и обратное напряжение Uобр - выше максимально допустимого (определяется из паспортных данных или задается преподавателем).


  2. Прямая и обратная ветви вольтамперной характеристики строятся на одном графике, предварительно выбираются масштабы для прямого и обратного тока и напряжения (рис.3).




Рис.3.
3. Обработка результатов измерения.





  1. Вычисление коэффициента выпрямления производится по формуле Kвыпр = Iпр / Iобр при определенном напряжении.

  2. Сопротивление переменному току вычисляется по формуле Ri = k . ctg . Это сопротивление прямо пропорционально котангенсу угла наклона касательной к характеристике в рабочей точке РТ. Здесь k = Mu /Mi, где Mu и Mi коэффициенты масштаба осей координат. Сопротивление постоянному току (статическое сопротивление) прямо пропорционально котангенсу угла наклона прямой соединяющей рабочую точку с началом координат, то есть R0 = k . ctg .

  3. Rпр и Rобр - сопротивления постоянному току при номинальных или специально оговоренных значениях прямого и обратного напряжения или тока.



Литература.




  1. Конспект лекций по курсу “Электротехника и электроника”.

  2. Основы промышленной электроники: Учебник для вузов / В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1978. - С. 6-30.

  3. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектротех. спец. вузов / Под ред. В.Г. Герасимова. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1986. - С. 12-27.

  4. Основы промышленной электроники / Ю.А. Исаков, А.П. Платонов, В.С. Руденко и др. - Киев: Техника, 1976.

  5. А.Г. Морозов. Электротехника, электроника и импульсная техника. - М.: Высшая школа, 1987.

  6. Полупроводниковые приборы: Методические указания по промышленной электроники. Часть 1 / Иван. хим.-технол. ин-т; Сост. А.Н. Фролов. - Иваново, 1992. - 36 с.

Похожие:

Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconИсточники излучения в интегрально-оптических схемах. Характеристики
Конструкции полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов (СД), применяемых в восп
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconПрограмма вступительного экзамена в магистратуру по магистерской программе 220400. 68. 03 Автоматизация технологических процессов и производств
Полупроводниковые диоды. Параметры и характеристики. Разновидности полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды, диоды Шоттки,...
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconОтчет по лабораторной работе №1 Исследование полупроводникового диода по дисциплине
Цель: Ознакомление с измерительными приборами лаборатории. Изучение свойств полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconОбъяснить причины существования емкостей p-n перехода. Как влияют емкости на быстродействие полупроводниковых приборов? За счет чего меньше быстродействие диодов Шотки?

Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconЛабораторная работа №1 Работа в Oracle Database Express Edition 1 Лабораторная работа №6
Лабораторная работа Выполнение расчетов с использованием программирования в среде Visual Basic for Applications
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconМоделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах
Эффект резонансного туннелирования в тонкопленочных гетероструктурах является основой создания резонансно-туннельных диодов [1]....
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconЛабораторная работа №3. Знакомство с прерываниями. Лабораторная работа №4. Программная обработка клавиатуры
Лабораторная работа №1. Знакомство с общим устройством и функционированием ЭВМ. Изучение структуры процессора, организации памяти,...
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconЛабораторная работа №13 пав фильтр
...
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconЛабораторная работа по теме: «ms doc. Основные команды.»
Мбоу «сош №8 г. Петровска Саратовской области» Лабораторная работа в среде ms dos
Лабораторная работа №14 Вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов iconЛабораторная работа №1 Основные характеристики объемных голограмм
Цель работы: Знакомство с основными характеристиками трехмерных голограмм и их экспериментальным определением
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org