«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России»



страница2/5
Дата15.05.2013
Размер0.72 Mb.
ТипДокументы
1   2   3   4   5


Рис.1 Применение устройств электроники



Рис.2 Структура отечественного рынка электроники в 2001 г.




Рис.3 Объемы финансирования НИОКР

Рис.4 Производство электронной техники на душу населения



Рис. 5 Общие объемы производства ИЭТ (млрд. долл)





Годы




1995

1997

1999

2000

2001

2003

2005

2010

2015

2020

Мировые достижения в промышленном производстве

Мин.

размер

мкм

0,35

0,25

0,18

0,18

0,13

0,09

0,07

0,05

0,03

0,02

Российские достижения

Мин.

размер

мкм

1,0

1,0

0,8

0,8

0,8

0,8

0,5

0,35

0,35

0,25

0,18

0,13

0,07




Отсутствие необходимого государственного финансирования на развитие микроэлектроники и обеспечение технологическим оборудованием и материалами с 1990 по 2000 г.г.


Возможный вариант развития при выделении необходимого финансирования на закупку зарубежного технологического оборудования и материалов

Закупка микроэлектроники Минобороны США

Мин.

размер

мкм

1,0







0,5




0,35

0,25

0,18

0,13

0,09


Рис.6 Прогноз тенденций уменьшения минимальных топологических размеров цифровых интегральных схем на период до 2020 г.



Годы / Параметры


1999


2001


2003


2006


2009


2012


2015-2020


Минимальные размеры, нм


180


150


130


90


70


50


10


Емкость памяти на чипе, бит (экспериментальные образцы)


1 Г







16 Г


64 Г


256 Г




Емкость памяти на чипе, бит (производство)


256 М


1 Г


1 Г





16 Г


64 Г




Транзисторов / см2


6.2 М


10М


18М


39 М


84 М


180 М


1 Г


Частота на чипе, МГц


500-1250


600-1500


700-2100


900-3500


1200-6000


1500-10000


5000-30000


Максимальная рассеиваемая мощность (радиатором), Вт


90


ПО


130


160


170


175


250-500


Размер чипа, мм2


400


445


560


820


1120


1580




Число уровней соединений


6-7


7


13


20


22-25


20-25






Рис.7 Прогнозы параметров ультрабольших интегральных схем




Рис. 8 Перспективы развития электроники
Председательствующий. Да, пожалуйста.

Из зала. Насколько наше собрание может повлиять на ситуацию, которая сейчас существует в России и на изменение ее?

Председательствующий. Я бы все-таки хотел сказать, что Государственная Дума - это законодательная власть в стране и Государственная Дума может очень сильно повлиять на развитие тех или иных направлений в экономике. Важно, чтобы Государственная Дума принимала соответствующие законы и постановления, которые обязательны для исполнительной власти. Я думаю, что исполнительная власть будет прислушиваться, по крайней мере, должна. Вот все, что я могу сказать.

Председательствующий. Слово предоставляется Юрию Ивановичу Борисову - начальнику Управления радиоэлектронной промышленности и систем управления.

Борисов Ю.И. Наверное, надо поблагодарить Жореса Ивановича, что он собрал такой авторитетный форум людей, которые, действительно, болеют за состояние нашей электронной отрасли, и в свойственной ему манере поставил острые вопросы, которые, действительно, насущные для всего микроэлектронного комплекса.

Ситуация не простая. Необходимо констатировать, что мы, действительно, очень серьезно отстаем от мировых лидеров в этой области, в создании наукоемкой продукции - электронной компонентной базы, которая является основой для построения всех систем, в том числе и систем оборонного характера, вооружения и военной техники. И необходимо предпринимать срочные меры для того, чтобы это отставание преодолеть.

Какие пути? Обсуждается много тенденций, как двигаться. Уже в мозгах некоторых российских ученых довлеет то, что мы отстали навсегда, вернее сказать не ученых, а у чиновников. Мировая практика, в том числе и Китая, показала, что, в принципе, не решаемых проблем нет. Но я считаю, что нужно взять самое лучшее из этой практики. Мне довелось в свое время побывать в Китае на четырех фабриках выпускающих продукцию с размерностью 0,25 микрон, это было в прошлом году, меня поразила простота и здравый смысл поднятия электронной отрасли. Сначала был выдвинут лозунг: Китай должен стать ведущей электронной державой. Но это лозунг, а что делалось потом? Дальше достаточно продуманные и взвешенные шаги. Сначала формируется сеть дизайн-центров. Буквально за два-три года формируется сеть дизайн-центров в количестве 200-250. Что это такое? Это малые группы разработчиков – от 20 до 50 человек, которые рождают как раз конструкторскую документацию, рождают логические проекты, которые затем воплощаются на фабрике. Это очень грамотные и правильный шаг.

Мировая практика показывает, в частности, я знаю, что на компанию Фуджицу - одного из мировых лидеров микроэлектроники, по всему миру работают около 300 дизайн-центров. Они как пчелы таскают нектар для фабрик, чтобы постоянно заботиться о их загрузке.

Затем, с помощью государства, я подчеркиваю, государства, формируется сегмент рынка. Объявляется: каждый китаец должен иметь электронный паспорт. Вот, пожалуйста, миллиард продаж сформирован. Все телефонные разговоры на таксофонах должны перейти на карточную систему. Это еще несколько миллиардов продаж. Карточка социального страхования – еще несколько миллиардов продаж. Это простые проекты. Логика там несложная, но высокотехнологичная.

Вот эти простые, на первый взгляд, шаги – это ни что иное, как катализатор со стороны государства для формирования рынка. И вот здесь при наличии дизайн-центров, при наличии сформированного рынка создаются объективные условия для создания микроэлектронного производства.

Дальше опять шаги продуманные: свободная экономическая зона, пять лет преференций со стороны государства и практически без единого государственного юаня, затраты со стороны бюджета Китая не соизмеримы с западным капиталом, который поверив в рынок, поверив, что государство, это государственная политика, начинает инвестировать. И никаких чудес нет, 18 месяцев от колышка до запуска производства. 18 месяцев, и страна практически из отсталой индустриальной державы в этой области превращается в одного из самых серьезных игроков.

Вот нечто подобное, на мой взгляд, необходимо реализовать и в нашей стране. Причем у нас, на мой взгляд, более выгодная позиция, более выгодная – у нас очень хорошая высшая школа, у нас очень хорошие разработчики.

Вот мы недавно делали анализ: сколько же у нас в стране дизайн-центров? Все время, на всех совещаниях произносится - это пятерка знаменитая, в Зеленограде два центра есть – это "капля в море" т.п. Оказывается, не так, у нас есть группы специалистов, объединенные определенной идеей, которые работают на западных партнеров. И таких вот групп, мы только начали смотреть, около 20.

Это тот резерв, который нужно всколыхнуть, на мой взгляд, нужно начинать именно с создания инфраструктуры. Иначе мы повторим ситуацию, которая у нас сложилась в микроэлектронной отрасли сейчас.

То есть вот к поднятию микроэлектроники нужно относиться как к бизнес-процессу: смотреть с конца - что мы хотим получить?

Какие еще пути? На мой взгляд, бюджетных средств очень мало. Нужно, конечно, думать о внебюджетном финансировании.

На мой взгляд, в ближайшее время, если мы это не сделаем, мы просто упустим ситуацию. Есть так называемая сфера менее рискованных вложений. Если посмотреть по объемам, по времени, по объемам вложений микроэлектронику - от идеи до кремния, 20 процентов лежит в разработке. И мы можем пользоваться этим путем, когда дизайн-центры разрабатывают конструкторскую документацию и опускаются буквально уже до фотошаблона, и, имея этот продукт, имеют возможность выйти на любую мировую фабрику. Это российский продукт будет, это российский продукт. Здесь обеспечивается уже технологическая, информационная и прочая безопасность. Это один из тех путей, которым мы просто сейчас обязаны воспользоваться.

Очень активно, на мой взгляд, необходимо внедрять схему создания дизайн-центров, даже это недешево, чтобы создать даже один дизайн-центр – это несколько миллионов долларов. Причем основная доля вложения здесь идет в лицензионные САПРы – системы автоматизированного проектирования. Но вполне возможно, и предварительные переговоры с поставщиками этих САПРов позволяют надеяться на то, что можно создать по принципу коллективного пользования такие дизайн-центры и осуществить с помощью современных средств телекоммуникаций доступ разработчиков, которые не имеют возможности сейчас закупать эти дорогие САПРы, к этим ресурсам.

Кстати, в Китае таким путем тоже пошли. Вот этот вот толчок может дать быстрому росту интеллектуальной прослойки, которая в будущем будет работать, и загружать эти фабрики.

Чтобы не занимать время, наверное, желающих будет много выступить, я просто высказал свои мысли: как можно было бы двигаться в этом направлении.

Я думаю, что нам в ближайшее время придется в той или иной интерпретации вот эти все пути пройти. Иначе, если мы упустим время, мы действительно можем оказаться в не очень хорошей ситуации.

Председательствующий. Слово предоставляется Борису Михайловичу Синельникову – ректору Северо-Кавказского технического университета.

Синельников Б.М. Я бы хотел сегодня остановиться на одной области, на одной такой сфере, которая затрагивает проблемы, в общем-то, безопасности государства.

Только что прозвучали слова о том, что можно будет обеспечить безопасность государства за счет разработки и создания в отечественных дизайн-центрах интегральных микросхем. Но надо сказать, что этот вопрос достаточно тонкий, потому что программное обеспечение, которое используется для решения определенного класса задач, оно, как правило, не является сертифицированным программным обеспечением, и достаточно сложно предсказать реализацию тех или иных вещей, о которых только что говорилось. Но мы это знаем. Почему? Потому что на нашей базе работает по существу центр, который обеспечивает проблемы информационной безопасности интегральных микросхем зарубежного производства.

Но я бы хотел сегодня сказать немножко про другое. Я хотел бы рассказать про проблемы, связанные с экстремальной электроникой.

Дело все в том, что это специфическая задача, это дорогая задача. Но, если мы хотим обеспечить надежность и стабильность работы аппаратуры, которая работает в таких, в общем-то, экстраординарных условиях, мы должны этим делом непосредственно заниматься.

Раньше под экстремальными условиями всегда понималось то, что там высокие температуры, радиация, агрессивные среды. Да, безусловно, это есть. Но техника подошла к такой ситуации, что сейчас проявляется достаточно много эффектов, связанных именно с внутренними режимами. То есть экстремальные как раз внутренние режимы эксплуатации.

То есть это сверхвысокие частоты, необходимость коммутации достаточно большой мощности, это сверхвысокие плотности тока, сверхвысокие напряжения.

Дело все в том, что сейчас сложилась такая ситуация, что как, в общем-то, и в микроэлектронике, что, начиная с 1980 года, произошел определенный импульс в развитии такого материала, как карбид кремния.

Дело все в том, что был разработан метод выращивания объемных монокристаллов, это создало возможность разработки и создания подложек достаточно большой площади.

Но надо сказать, что, несмотря на то, что он был разработан у нас в Советском Союзе, этот метод был перехвачен, ну, а в связи с особенностями тех тенденций, которые существовали, один из разработчиков этого метода уехал в Соединенные Штаты. И была в тот период времени создана фирма «Кририсочи».

При государственных инвестициях в 10 миллионов долларов первоначально, сейчас стоимость акций этой фирмы составляет 4,5 миллиарда долларов. То есть вот такая тенденция.

И, надо сказать, основой всего этого явилась именно технология, связанная с созданием приборов на основе карбида кремния.

Второй момент. Дело все в том, что сейчас карбид кремния очень сильно интегрируется с соединениями группы А3В5, в первую очередь, с широкозонными нитридами. Это как бы вдохнуло вторую молодость в этот материал, как, в общем-то, материал не только экстремальной электроники, но и материал, который может давать возможность получать приборы с достаточно уникальными характеристиками, поскольку кристаллохимическая и термомеханическая совместимость этих материалов является идеальной.

Я хочу обратить внимание на это почему? Потому что во всех прогнозах, которые сейчас существуют, развитие, в том числе СВЧ-техники, я не говорю уже о силовой технике, которая, в общем-то, фактически может быть реализована, в первую очередь, только на карбидно-кремниевых приборах, но и там есть большие проблемы. Вот эта проблема стоит достаточно остро, и огромные вкладываются именно в это направление, с точки зрения именно инвестиций.

И третий момент, на который я хотел бы тоже обратить внимание. Дело все в том, что мы сейчас немножко забыли, говорили все время слова "полупроводниковая электроника", но есть огромная ветвь – это ветвь, связанная с микромеханикой, с микросистемной техникой.

Вот в этом направлении комплекс тех работ, которые сейчас осуществляется в мире, с точки зрения интеграции сенсорных, процессорных систем и систем исполнительных, он дает возможность решить те задачи, которые раньше практически было невозможно решить.

И я обращаю внимание почему? Потому что в ряде случаев исполнительные устройства те, о которых я говорю, они работают достаточно в экстремальных условиях.

Это захватывает различные аспекты, но я могу привести такой пример характерный, как разработка сверхминиатюрных источников питания в виде сверхминиатюрных газовых турбин, которые дают возможность получить в размерах три миллиметра на один сантиметр мощности до 10-12 ватт при сжигании водорода вот в таких системах.

В целом я обращаю ваше внимание на одну особенность, что если мы сейчас рассматриваем полупроводниковую электронику с двух позиций: с точки зрения, в первую очередь, микроэлектроники и оптоэлектроники, это, безусловно, очень мощное направление, нельзя в этом плане, конечно, сбрасывать проблемы, связанные с электроникой для экстремальных условий и режимов эксплуатации.

И вопросы, связанные с силовой электроникой, допустим, о которой я вот немножко говорил, они становятся тоже ключевыми, с точки зрения развития нашей энергетики и, с точки зрения развития нашей специальной техники.

1   2   3   4   5

Похожие:

«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconРезолюция Третьего Московского международного конгресса «Биотехнология – состояние и перспективы развития» Третий Московский международный конгресс «Биотехнология – состояние и перспективы развития»
...
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconРезолюция IV московского международного конгресса «Биотехнология: состояние и перспективы развития»
Московский международный конгресс «Биотехнология: состояние и перспективы развития» проходил с 12 по 16 марта 2007 г в г. Москве
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconКнигоиздание в России Состояние, тенденции и перспективы развития Отраслевой аналитический доклад Москва 2009

«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconСправочника "Российская химия и нефтехимия"
I. Состояние и перспективы развития химической и нефтехимической промышленности России
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconСеминара "Состояние и перспективы развития береговых систем управления движением судов"
Санкт-Петербурге состоялся научно-технический семинар “Состояние и перспективы развития береговых систем управления движением судов”,...
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconXiii международная конференция «Состояние и перспективы развития ip-коммуникаций и ip-сервисов в России» начала работу с 19 по 20 сентября 2012 года в Подмосковье общественно-государственное объединение «Ассоциация документальной
Но-государственное объединение «Ассоциация документальной электросвязи» (адэ) при поддержке Министерства связи и массовых коммуникаций...
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconРабочая программа учебной дисциплины «электротехника и электроника ч. 2» Направление подготовки
Основная задача дисциплины усвоение основных положений современной полупроводниковой электроники
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconТермические и термокаталитические превращения низших парафиновых углеводородов
Химическая переработка углеводородных газов и газоконденсатов, состояние и перспективы развития в России и за рубежом
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconСборник научных трудов 4-го Международного радиоэлектронного форума «Прикладная радиоэлектроника. Состояние и перспективы развития» (мрф’2011)
Международный радиоэлектронный форум «Прикладная радиоэлектроника. Состояние и перспективы развития» мрф-2011. Сборник научных трудов....
«Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России» iconРегиональная интернет-журналистика: современное состояние и перспективы развития (на материале контент-анализа тверских интернет-ресурсов) 10. 01. 10 журналистика
Региональная интернет-журналистика: современное состояние и перспективы развития
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org