И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников



страница4/5
Дата23.10.2014
Размер1.13 Mb.
ТипДокументы
1   2   3   4   5

7. ТЕХНОЛОГИЯ ГЁЗЕЛЯ-ТОНГА СВЯЗЫВАНИЯ ГИДРОФИЛЬНЫХ ПЛАСТИН ВО ВЛАЖНЫХ УСЛОВИЯХ (ВКЛЮЧАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ХИМИЧЕСКОЙ СБОРКИ ПОВЕРХНОСТИ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ)

Из предыдущего рассмотрения видно, что для достижения связывания без наличия пор необходимы чрезвычайная чистота поверхностей сращивания и очень малое количество частиц между ними в процессе химической и водной очистки. Более того, нужны строгие требования по чистоте к атмосфере, в которой происходит контактирование поверхностей при сращивании. Однако сообщается [20,21], что даже для контактирующих пластин в условиях чистых комнат первого класса около 70 % пластин уже содержат одну или более пор, обязанных частицам пыли <1 мкм в диаметре. Теоретические расчеты показывают [20,21], что частица диаметром около 1 мкм приводит к несвязываемому пространству диаметром около 0,5 см для стандартной пластины кремния диаметром 100 мм и толщиной 525 мкм.



Для того чтобы избежать наличия частиц между пластинами и удовлетворить строгим требованиям атмосферы чистых комнат было предложено простое устройство [20,21] для достижения сращивания без наличия пор. Пластины в нем устанавливаются горизонтально в тефлоновой рамке полированными сторонами друг к другу. При этом пластины содержатся раздельно с помощью прокладки тефлона, омываются потоком деионизованной воды и затем сушатся с помощью центрифугирования. После этого две поверхности приводятся в контакт посредством передвижения тефлоновой прокладки. Содержание пор в пластинах, связанных таким образом, зависит от скорости потока воды в щели между пластинами и от угловой скорости осушителя. При достаточно высоких скоростях воды и высоких значениях угловой скорости осушителя можно достичь высокой степени связывания без наличия пор, присущей сращиванию в атмосфере чистых комнат. Должны отметить, что при высокотемпературном связывании некоторые из пор сжимаются благодаря образованию вакуума между пластинами. Это приводит к более тесному контакту двух поверхностей, что уменьшает пространство несвязывания. Окисление кремния и германия в полости приводит к истощению по кислороду и созданию вакуума в ее объёме. Некоторые поры могут полностью исчезать. Такая ситуация конечно невозможна в случае образовании пор частицами. При отсутствии частиц на поверхности сращивания могут получаться достаточно качественные структуры, что подтверждается данными электронномикроскопических исследований поперечного сечения структуры КНИ (рис.6). Эти же выводы справедливы и для структур германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия, на кремнии и изоляторе и др.

8.
Экспериментальные данные по ТЕХНОЛОГИи ГАЗОВОГО СКАЛЫВАНИЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КНИ C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ТЕРМООБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ВО ВЛАЖНЫХ УСЛОВИЯХ


Нами проведены [23] эксперименты по получению структур КНИ с использованием технологии газового скалывания и термообработки поверхности во влажных условиях. Подготовка пластин состояла в их суперфинишной полировке и химической обработке для получения максимально чистой и максимально гладкой поверхности. Имплантацию ионов водорода выполняли на установках с плотностью тока ионов на поверхности пластин около 0,5 мкА/см-2 и с плотностью ?5 мкА/см-2. Энергия ионов равнялась 40, 150 кэВ. Получены образцы с дозами имплантации: 3?1016; 4?1016, 5?1016; 7?1016 , 1017 см-2. Перед стыковкой приборные пластины обрабатывали в 40%-ном фториде аммония 2 сек, в деионизованной воде 10 мин и в 100%-ной азотной кислоте 10 мин, после чего - в деионизованной воде. Наряду с этим исследовались также специальные методы химобработок. Расщепление проводили обработкой состыкованных пластин в диффузионной печи при температуре 450 - 600?С в течение 10-30 мин в атмосфере азота или кислорода. Приборный слой сплошь отщепился от приборных пластин, в которых имплантированы ионы Н+ дозой 3?1016 см-2. При дозах имплантации Н+ 5?1016 см-2, 7?1016 см-2, 1017 см-2 приборный слой отщепился мелкими островками. Данный эффект объясняется отсутствием сплошной стыковки пластин вследствие появления микрорельефа высотой 40?450 нм от вырастающих блистеров. Это обстоятельство вынуждает искать специальные способы стыковки и предварительного сращивания пластин перед расщеплением (термообработка в течение нескольких десятков часов при температурах 120-300?С), подбором давления среды, в которой проводится эта операция, более тонким подбором дозы имплантации Н+. Структуры, полученные в экспериментах, описанных выше, имели толщины приборного слоя от 0,3 до 0,8 мкм, шероховатость внешней поверхности этого слоя составляла 20?30 нм

9. РАССМОТРЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОЦЕССОВ ОБРАБОТКИ

В этом разделе изложим особенности технологии прямого связывания при производстве структур КНИ и структур германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия, на кремнии и изоляторе и др. Обсуждаемый материал является ключевым для применяемой технологии успешного связывания. Он включает вопросы целостности границы раздела и обсуждения образования пор, а также придания формы (профилирования) связанным пластинам. Остановимся вначале на микродефектах в связанных пластинах на примере структур КНИ на основе кремния.

Целостность границы (поверхности) раздела является одним из ключевых моментов в процессе сращивания. Если граница раздела не качественна, то она содержит поры между двумя связанными пластинами. Имеются четыре основных причины образования пор: недостаточная плоскостность пластин, наличие захваченного воздуха, частиц, а также поверхностных загрязнений. Требования высокой плоскостности для стандартных пластин и отсутствия частиц на границе раздела связано с захватом воздуха пустотами между двумя пластинами, образующимися в процессе прямого контакта. Вероятно, главной причиной образования больших пор на границе до размеров в несколько сантиметров является присутствие частиц и захваченный ими воздух. Захваченный воздух между двумя поверхностями приводит не только к плохому контакту при комнатной температуре, но и к отталкивающим силам между двумя связанными пластинами при высоких температурах. Когда пластины нагреваются, то связь между ними осуществляется в местах прямых контактов и появляются чашеобразные и дискообразные полости, заполненные воздухом. Давление за счет отталкивающих сил в полости может достигать значений, значительно превышающих атмосферное давление, при температуре связывания 11000 С. В работе [21] в качестве примера приведены поры, вызванные загрязняющими частицами на пластине кремния диаметром 100 мм. При этом видны частицы, оставшиеся после шлифования на верхней части пластины. Поры размером в несколько миллиметров в диаметре проявляются в кругообразной форме и почти во всех случаях проявляют себя в центре. Кругообразная форма согласуется с минимумом энергии для заполненной воздухом полости. Там же показаны большие скопления частиц, ответственных за поры. Существуют поля напряжений в окрестности частиц, возникающих в результате связывания пластин кремния. Напряжения решетки в окрестности частицы ясно видны из полос слипания дислокаций, расположенных в ортогональных напряжениях скольжения <110>. Это подтверждают исследования с помощью рентгеновской просвечивающей топографии. Например, частица диаметром 1 мм между 8-дюймовыми пластинами (толщиной 700 мкм) может вызывать поры с диаметром приблизительно равным 1 см.

Изучение пор, зависящих от таких переменных как температура связывания и время, а также от поверхностных условий (окисленная поверхность или неокисленная) показывает, что содержание пор для этих двух случаев различно. Случай наличия пор между двумя окисленными поверхностями рассматривается подробно.




    1. Поры для случая SiO2// SiO2 связывания пластин

Содержание пор для случая SiO2// SiO2 связывания пластин зависит от трех переменных: температуры связывания, времени связывания и толщины окисла. Для иллюстрации приведем пример, в котором температура связывания заключена между 900 0С и 1200 0С, время связывания между 0,5 и 2 часам, а толщина окисла в области между 0,5 и 1,0 мкм. Пластины связывались с одинаковыми слоями окисла на их поверхностях. Все пластины связывались во влажной окислительной атмосфере. Связывались также пластины с толщинами окисла 1 мкм с неокисленными пластинами. Перед соединением пластины погружались в раствор, что приводило к увеличению содержания гидроксильных групп на связываемых поверхностях. Все пластины были стандартного полупроводникового качества, при этом отсутствовал контроль по плоскостности и микрошероховатости. Пластины связывались в условиях нечистых комнат, что не давало возможности избежать появления пор. Содержание пор анализировалось методом сканирующей акустической томографии (CAT). Результаты измерений приведены в [5] для случая связи двух окислов с одинаковыми толщинами 1 мкм. Не наблюдалось различий в содержании пор и общее появление пор было найдено при связывании окислов толщиной 0,5 мкм или если связывались неокисленные пластины с окисленными. Из CAT изображений [5], очевидно, что содержание пор в окисленных пластинах кремния не зависит от температуры отжига, а также от времени отжига. За исключением нескольких макропор, вызванных наличием частиц и загрязнений, связанные пластины были свободны от пор. Имеются исключения для пространства шириной от 4 до 8 мм на периферии пластин. Эти круглые или полукруглые пространства содержат высокую плотность малых пор. Концентрация этих пор на периферии пластины подтверждает наличие локализованного источника загрязнений. В ряде исследований, в которых использовались пониженные температуры, были также получены подобные результаты, указывая на то, что SiO2//SiO2 связь стабильна при температурах не ниже 400 0С.

Исследовалось влияние органических загрязнений, испускаемых из контейнеров, используемых для хранения пластин. Из анализа содержания пор после связывания было найдено, что в пластинах, которые связываются без пор при комнатной температуре, производятся поры после связывания и отжига при температурах 200?800 0С. Такое поведение отнесено за счет разложения органики, преимущественно углеводородов, на поверхности пластины и их последующее испарение при высоких температурах, приводящее к образованию пор. Найденные явления зависят от изготовителя пластин и от условий хранения. При этом рекомендуется использования комнатных температур связывания как способ хранения пластин без их загрязнения. Так как связывание при комнатных температурах обратимо, то пластины в дальнейшем легко разъединяются. Следует указать на тот факт, что длительное хранение пластин также может приводить к образованию пор. В работе [5] показаны CAT изображения двух связанных пластин, которые были окислены до слоя окисла толщиной 1 мкм и хранились в течение месяца в пластиковой коробке. Перед соединением пластины парами подвергались обработке с целью увеличения содержания гидроксильных групп и удаления макрочастиц. Пара пластин также обрабатывалась вначале очищающим раствором с целью удаления органических загрязнений и затем подвергалась той же самой обработке, что и пара неочищенных пластин. Обе пары отжигались 1 час в окислительной атмосфере при температуре 1200 0С. Как видим, пара очищенных пластин свободна от пор при связывании за исключением периферийных пор, в то время как пара неочищенных пластин в левой части этого рисунка имеет несколько больших пор. Это обусловлено наличием органических загрязнений.



    1. Состояние сращенных пластин

В дополнение к самому сращиванию наиболее важным аспектом в технологии производства КНИ структур является получение монокристаллического слоя кремния заданной толщины методом утончения. Утончение обычно проводится на пластине, называемой рабочей пластиной (она используется для создания активных элементов). Вторая пластина сращенной пары называется опорной пластиной. Обе пластины играют важную роль в состоянии сращенных пластин. В этом разделе рассматривается ключевой фактор процесса утончения.

Утончение обычно начинается с операции шлифовки, при которой толщина активной пластины уменьшается до нескольких микрометров требуемой конечной толщины. После этого пластины химически травятся для удаления повреждений, внесенных операцией шлифовки. В заключение пластины полируются до требуемой окончательной толщины. Отметим, что утончение заканчивается без значительных изменений плоскостности срощенных структур. При чистой механической полировке кремния, такой как полировка алмазом, может сохраняться высокая степень плоскостности и параллельности пластин. Однако она может приводить к повреждению поверхности, недопустимому в кремниевой технологии. Поэтому алмазная полировка была заменена специальной полировкой [5], в которой используют густую смесь коллоидной кремниевой суспензии в растворе гидроокиси натрия, перекиси водорода и воды. Эта полировка дает свободную от повреждений поверхность кремния, необходимую для производства приборов. Понимание проблемы утончения связано с рассмотрением основных параметров, используемых для характеристик плоскостности. Поэтому вначале рассмотрим параметры плоскостности, а затем обсудим сам процесс утончения.



9.3. Плоскостность пластин

Связываемые поверхности двух пластин никогда не бывают совершенно плоскими. Локальные несвязываемые области могут возникать за счет щелей на границе связывания, вызываемых волнистостью связываемых поверхностей. Плоскостность, неоднородность или волнистость являются фундаментальными и макроскопическими свойствами связываемых поверхностей. Пластины с достаточно гладкими (ровными) поверхностями, но имеющими определенную степень волнистости могут все же связываться между собой, так как упругая деформация двух связываемых пластин может аккумулировать этот масштаб поверхностной волнистости (волнообразности). Результирующие напряжения на поверхности связывания составляют величину порядка 1?107 Н/м2, которая намного меньше, чем напряжения, требуемые для зарождения дислокаций и пластической деформации кремния (2,5?109 Н/м2), и не должны воздействовать на структурные свойства пластин кремния связываемых пар.

Связываются ли пластины или нет зависит не только от энергии связи при комнатной температуре, но также от высоты и размера щелей на границе связывния. При условие для закрытия щели дается выражением [20,21]

(80)

где (, Е – соответственно, соотношение Пуассона и модуль Юнга для кремния). При условие для закрытия щели не зависит от толщины пластины и дается формулой



(81)
В работах [20,21] показаны участки закрытия щели или ее незакрытия для двух пластин кремния равной толщины при выбранной величине = 100 мДж/м2 для различных величин . Для реальных структурированных пластин в уравнениях (80) и (81) нужно заменить на , где есть отношение между реальным пространством границы раздела в контакте и полным пространством пластины. Практически изменение плоскостности в 1-3 мкм на пластине кремния диаметром 100 мм не препятствует связыванию при комнатной температуре. Прогиб и коробление пластин до 25 мкм также несущественно.

Плоскостность пластин обычно определяется следующими параметрами [5]: полным изменением толщины, отклонением от центральной плоскости, локальной неплоскостностью и прогибом.

Современное оборудование позволяет измерять эти параметры посредством сканирования поверхности с помощью оптических (интерфереционных) и емкостных методов, дающих ее трехмерную топографическую картину.

9.4. Утончение и полировка сращенных пластин

В обработке сращенных пластин наиболее важным параметром является параметр плоскостности пластин для производства сращенных пластин, используемых для производства сенсоров и в процессах производства КНИ структур и СБИС. Изучение показало, что плоскостность исходных пластин определяет требования к однородности толщин сращиваемых пластин. Еще раз напомним о различии между пластинами в связываемой паре: одна называется опорной пластиной, другая - рабочей пластиной. Рабочая та, которая будет утоняться. Ее механические свойства, прежде всего плоскостность, сильно зависят от параметров опорной пластины. Подчеркивается, что для достижения однородности толщины рабочей пластины механическим и химическим утончением нужна обязательно хорошая плоскопараллельность опорной пластины и малое значение разнотолщинности. Допустимое изменение толщины кремния для рабочей и опорной пластины должно составлять величину менее 2 мкм. В конце обработки рабочей пластины может быть достигнута высокая степень однородности по толщине только в случае высокой однородности толщины опорной пластины. Утоненная рабочая пластина далее подвергается операциям полировки, подробно описанным в [5].



9.5. Микродефекты сращенных структур

Другим важным фактором технологии прямого сращивания пластин является наличие микродефектов, от которых зависит качество изготовляемых приборов. Сосредоточим внимание на рабочей пластине, которая является основой для активных элементов. Концентрация межузельного кислорода [Oi] и кислородных преципитатов в рабочей пластине играет определяющую роль в определении содержания микродефектов в сращенных пластинах. Известно, что преципитаты кислорода удивительным образом улучшают качество пластин посредством геттерирования быстродиффундирующих примесей металлов. Большое количество исследований [5] было посвящено установлению связи между [Oi], преципитатами кислорода, объемными дефектами и микродефектами поверхности. Исследовался также процесс отжига, обязательный для достижения бездефектной поверхности кремния, а также процессы, вызывающие дефекты поверхности, такие как окисление, приводящее к накоплению дефектов. Например, наличие преципитатов кислорода и лишенных кислорода участков (DZ) будут напрямую зависеть от температуры, используемой для сращивания пластин. Связывание двух пластин кремния каждая из которых имеет определенную концентрацию кислорода и свою термическую предысторию, не нарушает плоскость сращивания. Это показано в [5] для двух SiO2 // SiO2 сращенных окисленных пластин кремния (Рис.10). Можно увидеть отсутствие линейных дефектов, пересекающих DZ с каждой стороны связывания. В случае, если дефекты связывания присутствуют в виде пустот, вызванных малыми частицами, дефекты будут присутствовать в форме дислокаций, распространяющихся вдоль плоскости скольжения, противоположной направлению сращивания.



10. РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА SMART-CUT СТРУКТУР КНИ

Приборные слои структур КНИ, получаемые в рамках Smart-cut технологии отличаются от приборных слоев других составных структур КНИ наличием в них радиационных дефектов, вызванных имплантацией ионов водорода [24]. Наряду с дефектами, образованными имплантированными частицами, деформациями приборного слоя на выемках и выпуклостях реально неплоской поверхности опорной пластины, радиационные дефекты определяют также общую плотность дислокаций в приборном слое на уровне 102?3?104 см-2. Тщательная очистка пластин перед сращиванием позволяет понизить плотность таких дефектов до ?102 см-2. Шероховатость внешней поверхности приборного слоя после его отщепления от приборной пластины достигает нескольких десятков (20÷40) нанометров. Поэтому первыми разработчиками технологии Smart-cut предусматривалась лёгкая химико-механическая полировка внешней поверхности приборного слоя, в результате которой они доводили шероховатость до Ra=0,15 нм. Уменьшить упомянутую шероховатость можно также лёгким полирующим травлением, окислением, термообработкой в водороде.

Неоднородность толщины приборного слоя определяется, в основном, нестабильностью и неоднородностью энергии имплантируемых ионов водорода и изменениями угла их падения на поверхность приборной пластины при воздействии пучком. Современные имплантеры позволяют изготавливать структуры с неоднородностью толщины приборного слоя на уровне 2?5%. Параметры изолирующего диэлектрического слоя: 1) толщина,?0,1?0,5 мкм; 2) неоднородность толщины, ?10%; 3) электрическая прочность, ?5 МВ/см; 4) плотность распределения заряда в диэлектрике (определяется несколькими “дефектами” структуры диэлектрика - двуокиси кремния [20,21]: - Е? и ЕР центры, возникающие при инжекции дырок в диэлектрик; считается, что Е? центр является структурой О3?Si, к которой присоединён неспаренный электрон; природа ЕР центра не ясна; полагают, что за него ответственна свободная связь атома Si в вакансии кислорода); общая плотность распределения обоих типов дефектов составляет около 5?1012 см-2; эти центры захватывают инжектируемые в диэлектрик дырки и образуют объёмный положительный заряд; дефекты такого рода характерны для термического окисла; - центры Е, имеющие структуру HO2?Si?, образовавшиеся в результате захвата атомов водорода кислородными вакансиями; эти центры доминируют в составных структурах КНИ; - центры, аналогичные центрам Е, МеО2?Si?, образовавшиеся в результате захвата щелочного металла Ме, попадающего в структуру как загрязнение. Как известно, водород из двуокиси кремния удаляют обработкой структур в сухом кислороде, в вакууме или пропусканием через неё электрического тока, а щелочные металлы - высокотемпературной (1000?1200?С) термообработкой структур в хлорсодержащей среде (хлоре. хлористом водороде, смеси трихлорэтилена) и кислороде. Загрязняющие металлы в структуре образуют дефекты на границах двуокиси кремния с диэлектриком, создавая в этих местах зарядовые состояния. В частности, такая ситуация наблюдается, если составную структуру КНИ получают, сращивая неокисленную кремниевую пластину с окисленной. В этом случае зарядовые состояния образуются в стыке кремния с двуокисью кремния.

Поскольку толщину приборного слоя можно делать практически сколь угодно малой (например, 50 нм), соответственно можно уменьшать и размеры полупроводниковых ИС и солнечных элементов. Уменьшение объёма элементов этих устройств приводит к соответствующему увеличению радиационной стойкости ИС. Например, удаётся более чем на порядок повысить радиационную стойкость по импульсу ИС на основе составных структур КНИ по сравнению с ИС на основе объемного кремния.



Заключение. Построена схема процесса получения структур кремний на диэлектрике (КНИ) (в том числе и тонких слоев кремния на стекле), многослойных структур и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников и и структур германий на изоляторе, полупроводниках и и др. и определены направления исследований. Установлены ключевые операции процессов: подготовка пластин, сращивания, режимы обработки поверхности и термообработки. Исследованы процессы химико-механической, химической, электрохимической, плазмохимической обработки пластин и структур, а также процессы ионной имплантации и намечены перспективы использования эпитаксиального наращивания. Определены режимы обработок. Проведенные исследования подтвердили перспективность выбранного направления и позволили определить необходимые методы контроля параметров структур.


                1. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Stengl R, Tan T, Gosele U. A model for the silicon wafer bonding process // Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P 1735-1741.

2. Maszara W.P.,Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J.B. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator // J. Appl. Phys. 1986. V.64. № 10. P.1943 - 1950.

3. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества. Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

4. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

5. Sensor Technology Devices . Ed. Ljubisa Rustic. Boston - London: Artech House, 1994. P. 157-201.

6. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

7. Прокопьев Е.П., Петров С.В. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103-112. - Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.

8. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния.// Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

9. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дягилев В.В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния// Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

10. Алесковский В.Б. Курс надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Л.: Изд-во Ленгосуниверситета, 1990. 284 с.

11. Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.

12. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978. 258 с.

13. Малыгин А.А. Метод молекулярного наслаивания-основа химической нанотехнологии материалов твердотельной электроники// Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.22.

14. Кольцов С.И. Химическое конструирование твердых веществ. Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1990. 48 с.

15. Алесковский В.Б. Химия надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Спб: Изд-во С.- Петербург. ун-та, 1996. 256 с.

16. Малыгин А.А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания// Соросовский образовательный журнал. 1998. №7. С.58-63.

17. Tong Q.-Y., Gösele U. A Model of Low-Temperature Wafer Bonding And Its Applications // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol.143. №5. P.1773-1779.

18. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определение энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания (Обзор). Сб. «Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России». 1999. №3. С.45-49.

19. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

20. Tong Q.-Y., Gösele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. Vol.11. №17. P.1409-1425.

21. Tong Q.-Y., Gösele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley, New York. 1988. 326 p.

22. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

23. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

24. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

25. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

26. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

27. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

28. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

29. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

30. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г..Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

31. А.Ф.Буренков и др. Пространственное распределение энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. 248 с


  1. П.А. Александров и др. // Труды IX Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, (28.06-03.07) 1999. М.: Наука, 1999. Т.l, с.330.

  2. П..А. Александров и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Сер. Физика твердого тела. Вып.2. По материалам IV Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Н.Новгород (9-11).06.1998. Сборник докладов.. Н.Новгород: Изд-во Нижегородского Университета, 1998. С.17.

  3. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. С.228-233.

  4. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979. 517 с.

  5. Хакен Г. Синергетика. Мир, 1980. 404 с.

  6. Прокопьев Е.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.18. С.80-84.

  7. Прокопьев Е.П. // Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. Вып.6. С.1242-1245.


Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе

В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин

Реферат

Smart-cut технология (относящаяся к технологиям газового скалывания в процессе термообработки, основанных на контролируемых использованиях следующих основных процессов: создание с помощью ионной имплантации микроскопических об`емных дефектов, содержащих водород; трансформация этих созданных дефектов посредством термообработок; скалывание тонкого слоя материала подложки по системам таких дефектов по всей площади пластины) .получения кремний на изоляторе (структур КНИ (в том числе тонких слоев кремния на стекле)) и структур германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия, на кремнии и изоляторе и др. находит широкое применение в разработке и производстве новой элементной базы микроэлектроники и наноэлектроники, специальных радиационно- и термостойких ИС, различного рода сенсоров и датчиков и высококачественных солнечных батарей на основе монокристаллического кремния. Ниже предлагается физико-химическая модель сращивания гидратированных (гидроксилированных) поверхностей двух пластин кремния и пластин кремния и германия и других веществ. Для очистки и получения поверхности пластин кремния и германия с заданным химическим составом, их активирования и модифицирования предлагается использовать термообработку поверхности во влажных условиях (включая и возможность химической сборки поверхности) и smart-cut технологию. Известно, что группы и , полученные методом молекулярного наслаивания, полимеризуются при низких температурах с образованием сильных ковалентных , и связей. Основываясь на этом явлении, предложены модифицированные модель и технология связывания гидрофильных пластин кремния и пластин кремния и германия, которая позволяет увеличить прочность связывания при низких температурах отжига. Рассмотрены различные технологические стадии и схема процесса производства структур КНИ и структур германий на кремнии и изоляторе, а также структур на кремнии и изоляторе с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Проведенные нами успешные эксперименты по сращиванию окисленных поверхностей кремния и германия подтвердили выводы рассмотренной модели и модифицированной smart-cut технологии .



Подписи к рисункам в статье «Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе».

Авторы В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин

Рис.1 Прямое связывание пластин кремния с использованием метода сращивания во влажных условиях и технологии отслаивания при получении КНИ структур.

Рис.2 Физико-химическая модель сращивания стандартных пластин кремния.

Рис.3 Прямое связывание двух окисленных пластин кремния с гидроксильными группами на их поверхности (пластины А и В).




                  1. Общий список работ

  1. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

  2. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков,. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

  3. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния . Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

  4. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

  5. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

  6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO2, Al2O3 в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.

  7. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO2 - Al2O3 - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.

  8. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

  9. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.

  10. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

  11. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471-475.

  12. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.

  13. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

  14. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

  15. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

  16. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

  17. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO2, Al2O3, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.

  18. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

  19. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, , С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al0,3Ga0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.

  20. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков Моделирование и оптимизация процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, кремния и диэлектрического стекловидного материала состава SiO2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной индукционной воздушной и аргон-кислородной плазме. Теоретические основы химичеcкой технологии. 1999. В печати.

  21. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

  22. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.

  23. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.

  24. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.

  25. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  26. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

  27. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

  28. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.

  29. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37 (Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.

  30. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

  31. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Химическая технология. 2001 В печати.

  32. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <
    >, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

  33. . С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. Пос. Дивногорское, Краснодарский край, Россия, 17-22 сентября. 2000. С.58.

  34. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  35. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Особенности smart-cut технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания.. Петербургский журнал электроники. 2000. В печати.

  36. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

  37. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.

  38. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ структур с использованием методов химической сборки поверхности и газового скалывания. Журнал прикладной химии. 2000. В печати.

  39. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,. С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.

  40. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

  41. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

  42. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.

  43. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.

  44. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. В печати.

  45. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.

  46. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.

  47. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2000. В печати.

  48. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  49. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  50. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.

  1. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.

  1. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 83 с.

  2. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том. С.202-204.

  3. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

  4. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

  5. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.

  6. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.

  7. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.

  8. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.

  9. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.

  10. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.133,134.



1   2   3   4   5

Похожие:

И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconПрограмма : 31 Физика полупроводников и диэлектриков Руководитель программы: проф., д ф. м н. П. П. Коноров
Изучение тонких пленок германия актуально в связи с возможностью создания транзистора на их основе. Кадмий-ртуть-теллур, в свою очередь,...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Электрофизические свойства тонких пленок с 60 и жидких кристаллов на поверхности германия»
...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconСследование возможности применения метода газовой хроматографии для анализа реакционноспособных тетрафторидов кремния и германия
...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconРазработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом чохральского
Специальность 05. 27. 06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconФизика полупроводников
Курс посвящен изложению основ физики полупроводников. Наряду с традиционными разделами физики полупроводников в курсе затрагиваются...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconНа работу на соискание ученой степени магистра физики Дубицкого Ильи Семеновича
Именно в этом направлении и выполнена рецензируемая работа, в которой была изучена роль квантовых эффектов в тонких полупроводниковых...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconМетодические указания на колориметрическое определение германия и его соединений четыреххлористый германий, двуокись германия
Предел обнаружения в воздухе четыреххлористого германия 0,16 мг/куб м, германия и окиси
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconФизическая кинетика полупроводников
Ская физика, квантовая механика, физика полупроводников и умение владеть математическим аппаратом в объеме программы бакалавриата...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Кремний и его соединения»
Цель: Рассмотреть формы существования кремния как химического элемента: атомы, простые вещества и важнейшие соединения. Сравнить...
И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Электрофизические свойства тонких пленок Ni и c в системе полупроводник-электролит»
И. Успешно справившись с освоением методик, уже в рамках курсовой работы, им были самостоятельно проведены экспериментальные исследования...
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org