И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников



страница5/5
Дата23.10.2014
Размер1.13 Mb.
ТипДокументы
1   2   3   4   5

E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Effective charges of oxygen ions in metal oxides. Abstracts of 3rd International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.199.

  • E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Positronium in semiconductors and ionic crystals. Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.213.

  • V.F.Reutov, A.L,Suvorov, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop`ev. Technology development and production of thin plates, membranes and silicon-on-insulator (SOI) structures by the bonding of silicon wafers using the radiation-induced gas-simulated splitting. Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001.P.186.

  • В.Ф.Реутов, A.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Развитие технологии и получение тонких пластинок, мембран и структур кремний-на-изоляторе (КНИ) связыванием пластин кремния с использованием метода газового скалывания. Reports on 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. В печати.

  • S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow region, Februari 5 - 16, 2001. 10 c.

  • Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов. Тезисы докладов 3-ей Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.105,106.

  • Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.
    Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков,. О возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в полупроводниковых кристаллах. Статьи (Тезисы докладов) на 3-ей Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.106-111.

  • Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах атомной техники (обзор). Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу Российской Федерации. 2001. В печати.

  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.


  • V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva, V.S.Minaev, Yu.V.Funtikov. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. Abstracts of LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. P.335,336.

  • A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. О возможности когерентного поведения атмосферы дефектов в материаоах атомной техники. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.

  • В.И.Графутин, Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляционной спектроскопии для изучения строения вещества. Успехи физических наук. 2001. В печати.

  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Материаловедение. 2001. В печати.

  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты В печати.

  • A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.Ф.Реутов, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ c использованием методов сращивания пластин кремния. Физика и химия обработки материалов. 2001. В печати.

  • A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов (обзор). Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.193.

  • A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов (обзор). Reports on 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001.
  • А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в ядерном материаловедении. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2001. В печати.


  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. .О возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в электронном материаловедении. Материаловедение. 2001. В печати.

  • Е.П.Прокопьев. Синергетический подход к проблеме окисления кремния. Физика и техника полупроводников, 2001. В печати.
  • А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме окисления технически важных материалов атомной техники. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2001. В печати.


  • Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике. Известия вузов. Электроника. 2001. В печати.

  • Ю.А.Чаплыгин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме производства и эксплуатации структур кремний на диэлектрике. Химическая технология. 2001. В печати.

  • Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к проблеме окисления структур кремний на изоляторе (структур КНИ). Вторая Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (КРЕМНИЙ, ШКОЛА-2001). 2 июля – 6 июля 2001 г. Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет). Тезисы докладов. М.: МГИСиС. 2001. С.71,72.

  • Ю.А.Чаплыгин, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.З.Петрова, В.И.Графутин, E.П.Прокопьев, Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике и проблемы их надежности и качества. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств. Cборник докладов. Международный Симпозиум «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО’2001» Пенза. ПГУ. 21-31 мая 2001 г. В печати.
  • E.P. Prokop'ev, S.P.Timoshenkov. Possible synergetic approach to problem of silicon oxidation. Abstracts of Int. Conf. On Thin Films (12 th). Bratislava, Slovakia. 01.09.02 – 06.09.02. В печати.

  • A.L. Suvorov , V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov V.I. Grafutin, A.G..Zaluzhnyi , E.P. Prokop'ev ,V.F.Reutov. Possibility of Silicon-on-Insulator Structure Production Using Wet Surface Treatment (Chemical Assemblingand Smart Technique. Abstracts of Annyal Mtg. On Nuclear Technology. 2001, 2002, 2003. Berlin, FRG 20.05.03-22.05.03.

  • A.L. Suvorov , V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov V.I. Grafutin, A.G..Zaluzhnyi, E.P. Prokop'ev ,V.F.Reutov. Possibility of Silicon-on-Insulator Structure Production Using Wet Surface Treatment (Chemical Assemblingand Smart Technique). Abstracts of Int. Conf. On Solids Surfaces (ICSS-11) (11 th). San Francisco, USA. 26.10.01 – 02.11.01. 2001. В печати.


  • А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Воэможный синергетический подход к проблеме окисления структур КНИ (A.L. Suvorov , Yu.A.Chaplygin,V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov , A.G.Zalughnyi, V.I. Grafutin , E.P. Prokop'ev.. Possible synergetic approach to problem of soi-structure oxidation). Тезисы доклада на Всероссийской научно-технической конференции “МИКРО- и НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2001” (МНЭ-2001) с участием зарубежных ученых. 1-5 октября 2001 г. г. Звенигород. М.: 2001. Р3-41.

  • В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Возможность применения smart-cut технологии к проблемам получения структур КНИ и тонких слоев германия и слоев кремний/германий на кремнии и изоляторе. Петербургский журнал электроники. 2001. В печати.

  • В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Использование соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элнментов. Reports on 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP 01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. In press (файл: E\CтСинергизм атм деф ICNRP’01.doc).

  • V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov. Physics of the Solids. 2001. Vol.43. №8. P.1433-1437 (ФТТ. 2001. Т.43. №8. С.1376-1380).

  • В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 – Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001. В печати. Файл: D\ТезДокл\МИЭТ Докл.doc.

  • А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания. Атомная энергия. 2001. В печати. Файл: D\prokop’ev\АтЭн1.doc.

  • А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Производство структур кремний на изоляторе с использованием методов термообработки поверхности во влажных условиях и газового скалывания. Известия вузов. Электроника. 2001. В печати. Файл: D\Prokop’ev\Известия ВУЗ.doc.

  • Е.П.Прокопьев. 2D Позитроны и атом позитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. Тезисы докладов Всероссийской конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002). МО РФ Росс. гос. унив. им. А.И.Герцена. Санкт-Петербург, феврадь 2002. В печати (Файл: E\Электр.-поз. Сос.\2D ПОЗ АТОМ Ps в кв ям.doc).

  • В.И.Графутин, В.А.Елесин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf) электронной конференции «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». Секция «Водородная обработка материалов». 2001. 60 с. В печати (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).

  • А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая случаи облучения материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf) электронной конференции «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». Секция «Водородная обработка материалов». 2001. 45 с. В печати (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).

  • V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov. Investigations of defect parameters in a-Si:H by positron annihilation method. Abstracts of LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. C.336,337.

  • .А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. Препринт ИТЭФ 18 – 01. М., 2001. 10 с.

  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Препринт ИТЭФ 19 – 01. М., 2001. 8 с.

  • А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.

  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.

  • А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.

  • А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Доклад на V Российской конференции по физике полупроводников. 2001 Нижний Новгород 10-14 сентября.

  • А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.
  • 1   2   3   4   5

    Похожие:

    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconПрограмма : 31 Физика полупроводников и диэлектриков Руководитель программы: проф., д ф. м н. П. П. Коноров
    Изучение тонких пленок германия актуально в связи с возможностью создания транзистора на их основе. Кадмий-ртуть-теллур, в свою очередь,...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Электрофизические свойства тонких пленок с 60 и жидких кристаллов на поверхности германия»
    ...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconСследование возможности применения метода газовой хроматографии для анализа реакционноспособных тетрафторидов кремния и германия
    ...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconРазработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом чохральского
    Специальность 05. 27. 06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconФизика полупроводников
    Курс посвящен изложению основ физики полупроводников. Наряду с традиционными разделами физики полупроводников в курсе затрагиваются...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconНа работу на соискание ученой степени магистра физики Дубицкого Ильи Семеновича
    Именно в этом направлении и выполнена рецензируемая работа, в которой была изучена роль квантовых эффектов в тонких полупроводниковых...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconМетодические указания на колориметрическое определение германия и его соединений четыреххлористый германий, двуокись германия
    Предел обнаружения в воздухе четыреххлористого германия 0,16 мг/куб м, германия и окиси
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников iconФизическая кинетика полупроводников
    Ская физика, квантовая механика, физика полупроводников и умение владеть математическим аппаратом в объеме программы бакалавриата...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Кремний и его соединения»
    Цель: Рассмотреть формы существования кремния как химического элемента: атомы, простые вещества и важнейшие соединения. Сравнить...
    И тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников icon«Электрофизические свойства тонких пленок Ni и c в системе полупроводник-электролит»
    И. Успешно справившись с освоением методик, уже в рамках курсовой работы, им были самостоятельно проведены экспериментальные исследования...
    Разместите кнопку на своём сайте:
    ru.convdocs.org


    База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
    обратиться к администрации
    ru.convdocs.org