Правило параллельных ветвей



страница1/4
Дата23.10.2014
Размер0.67 Mb.
ТипДокументы
  1   2   3   4


















правило параллельных ветвей

и




  1. Электроника. История развития.

Электроника – это наука о процессах происходящих в электрических цепях, содержащих электрические элементы, полупроводниковые элементы, электровакуумные элементы, расчета электрических схем с этими элементами.

Основные этапы развития электроники

1). Изучение свойств полупроводников

1883 М.Фарадей , Беккерель

2). Изучение электропроводности

1926 Лименфельд

3). Изготовление транзисторов (и разработка)

1947 Шокли, Бардин, Браттейн

1956 – Нобелевская премия

4). Изготовление туннельного диода

1958 Л.Исаки

5). Изготовление полевых транзисторов 1963

6). Изготовление первого микропроцессора

1972 Intel


  1. Электропроводность веществ и материалов.

Электропроводность – это некоторое качество веществ, которое характеризует способность проводить электрический ток. Количественно она характеризуется удельной проводимостью, а также концентрацией свободных носителей заряда.


Электропроводность полупроводников возникает, когда полупроводник начинает проводить ток, при приложении внешнего напряжения, при наличии градиента концентрации, при воздействии освещённости, при воздействии радиоактивных излучений.

Все вещества делятся на 4 группы:


Сверхпроводники.

Очень малое сопротивление теоретически R=0.



  1. Проводники

(10-6-10-4) Ом на См.

Металл: серебро, медь, хром, алюминий

Электролит: вода, щелочные кислотные растворы

Вольфрам, нихром – плохие проводники.



  1. Полупроводники

(10-4-10-8) Ом на См.

Германий, кремний, селен, интерметаллические соединения, арсенид галлия GaAs, антимонит индия InSb, Cu2O, ZnO – оксиды, сульфиды: камния, цинка, SiC – карбиды, фосфиды, органические соединения



  1. Диэлектрики.

(108 и больше)

Стекло, слюда, эбонит, фарфор, воздух, вакуум




  1. Полупроводники. Структура полупроводников.

Полупроводники – это особый класс химических элементов, соединений, электропроводность которых в большей степени зависит от внешних факторов: температуры, давления, влажности, освещенности, магнитного поля, примесей и т д

* При изменении температуры на 1°С электропроводность возрастает на 5-6%(сопротивление уменьшается)

* При добавлении мышьяка (5 – 10% от объема) электропроводность увеличивается в 200 раз.

* При освещённости полупроводников его сопротивление уменьшается.

* Воздействие радиационного излучения приводит к уменьшению сопротивления.

Структура полупроводников (Наиболее распространенные полупроводники, применяемые в эл. промышленности – германий и кремний, эти вещества имеют структуру алмазо – подобного вида)

Наличие сил притяжения и отталкивания ядер приводит к равновесию, которое создает устойчивую структуру и обеспечивает необходимые металлические свойства: твердость.

Структура Ge и Si монокристаллическая, в которой атомы размещаются в узлах кристаллической решётки, которая называется тетраэдром. На внешней электронной оболочке 4 электрона. Развернём на плоскости

pic for electronika\15.bmp

Особенностью структуры полупроводников является её пространственная устойчивость, алмазоподобная структура. При повышении температуры некоторые связи разрываются в результате энергетического воздействия, при этом некоторые электроны отрываются от своих атомов и становятся свободными носителями заряда. На месте ушедшего электрона образуется нескомпенсированный положительный заряд и незаполненная валентная связь. Энергия в этой связи меньше, чем в заполненной поэтому на место ушедшего электрона может перейти электрон из соседней связи. В результате происходит движение положительного нескомпенсированного заряда,который эквивалентен некоторой частице с зарядом +1е. Этот подвижный нескомпенсированный заряд называется дыркой. При воздействии температуры возникает одинаковое количество n и p. Процесс генерации n и p при воздействии температуры называется термогенерацией. Паралельно с этом процессом идёт противоположный процесс – рекомбинация. При увеличении температуры число n и p возрастает следовательно увеличивается и электропроводность.

Из чистых проводников изготавливают следующие полупроводниковые приборы:


  1. Терморезистор

  2. Фоторезистор

  3. Тензорезистор



  1. Примесные полупроводники (примеси полупроводников)

Примесным полупроводником называют полупроводник в который введена какая либо примесь. В качестве примесей используют вещества с валентностью 3/5.

5 – Сурьма (Sb), P, As – доннорные примеси.

3 – Al, Ga, B, In – акцепторные примеси.

Различают слабо(), нормально и сильно – легируемые полупроводники



  1. Примесные полупроводники n-типа.

Добавим Sb. Если в кристалл полупроводника добавить 5 – тивалентную примесь, расплавить, а потом она затвердевает, в результате образуется примесный проводник

При воздействии температуры 5 валентный элемент примеси становиться свободным носителем заряда, увеличивает число ē (образуя электронную проводимость). На месте ушедшего ē остаётся неподвижный положительно заряженный ион атома донорной примеси, этот ион не учавствует в электропроводности .pic for electronika\16.bmp

Примесь, отдающая ē называется донорной.

В таком полупроводнике число е значительно больше числа дырок. ē – называется основным носителем заряда, а дырки – не основным.



Такой примесный полупроводник называется полупроводник n- типа или электронный полупроводник.


  1   2   3   4

Похожие:

Правило параллельных ветвей iconКонтрольные вопросы Какие виды соединений элементов встречаются в электрических цепях?
Токи параллельных ветвей определяются по закону Ома через напряжение на этом участке и сопротивления ветвей, например для второй...
Правило параллельных ветвей iconGeneral ciРеформирование судебной системы Казахстана: реальность и перспективы
Гарантией демократизма государственного механизма служит принцип разделения ветвей власти и их взаимодействия. В связи с этим курс...
Правило параллельных ветвей iconПризнаки и свойства параллельных прямых
...
Правило параллельных ветвей iconГеометрия (7-9). Параллельные прямые. Свойства и признаки параллельных прямых
Аксиома параллельных прямых. Через данную точку можно провести не более одной прямой, параллельной данной
Правило параллельных ветвей iconАнализ алгоритмов планирования траекторий движения многокоординатных параллельных механизмов
Целью настоящей работы является разработка автоматизированного программно-аппаратного комплекса для исследования параллельных механизмов...
Правило параллельных ветвей iconВопросы к зачёту по геометрии за 8 класс Определения
Параллельность прямых. Углы, образованные при пересечении двух параллельных прямых третьей прямой, их свойства. Признаки параллельности...
Правило параллельных ветвей iconМ., Покатович Г. А. Основные классы современных параллельных компьютеров
Основным параметром классификации параллельных компьютеров является наличие общей (smp) или распределенной памяти (mpp). Ниже подробно...
Правило параллельных ветвей iconСовременные тенденции в разработке средств визуализации программного обеспечения параллельных вычислений
...
Правило параллельных ветвей icon«Аксиома параллельных прямых»
Ввести понятие «аксиома»; познакомиться с аксиомой параллельных прямых и её следствиями
Правило параллельных ветвей iconОценка масштабируемости параллельных вычислений для одношаговых многоточечных методов решения задачи коши
Ллюстрировано на примере решения задачи Коши на основе одношаговых разностных схем с контролем погрешности на шаге. В качестве параллельных...
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org