Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию " Аморфные и микрокристаллические полупроводники"



Скачать 26.36 Kb.
Дата06.04.2013
Размер26.36 Kb.
ТипИнструкция

Раздел 2

Инструкция

по оформлению и представлению тезисов докладов

на конференцию

Аморфные и микрокристаллические полупроводники”


И.И. Иванов1, П.П. Петров2, С.С. Сидоров1

1Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург

2СПб ПГУ, Санкт-Петербург

тел: (812) 292-7173, факс: (812) 297-1017, эл. почта: user@mail.ru

Настоящая инструкция набрана в шаблоне Word 97, который должен использоваться при подготовке тезисов. Шаблон содержит следующие стили оформления абзацев, Heading1, Heading2, Heading3, Authors, Affiliations, Connections, BodyText, NumList. Стили не должны модифицироваться автором, их следует применять в соответствии с названием.

Оформление тезисов


  1. Тезисы представляются в формате текстового редактора не ниже Word 97 на основе шаблона, используемого при написании данного сообщения. Каждый параграф текста обязательно должен быть оформлен в одном из стилей, предусмотренных этим шаблоном.

  2. Рисунки должны быть встроены в текст. Однако для исключения недоразумений следует прислать и их оригинальные файлы. Надписи на рисунках должны быть набраны шрифтом не менее 9 пунктов.

  3. Объем тезисов, включая встроенные рисунки, не должен превосходить 2 стр.

  4. Формулы и математические обозначения должны быть набраны с помощью формульного редактора или с использованием нотации TeXа.

  5. Цитируемая литература набирается в формате, приведенном ниже, и нумеруется цифрами в квадратных скобках (таким же образом обозначается и текстовая ссылка) [1].

  6. Номер раздела, к которому, по мнению автора, относится представляемый доклад, следует набрать в правом углу верхнего колонтитула (см. образец) и включить в Subject line электронного письма.

  7. Фамилию и инициалы представляющего автора следует выделить подчёркиванием.

Куда и когда отсылать


  1. Файлы, подготовленные по заданному шаблону, высылаются электронной почтой по адресу nina.konstantinova@mail.ioffe.ru со следующими данными, включенными в Subject line: AMS8, paper, <номер тематики>. Файлы следует называть полной фамилией (лучше транслитерированной) представляющего автора.

  2. Файлы должны быть получены не позднее 10 мая 2012 г.

Литература


[1] И.И. Иванов, П.П. Петров, С.С. Сидоров ФТП 28 630 (1994)

[2] И.И. Иванов, П.П. Петров, С.С. Сидоров Механизм образования и субструктура конденсированных пленок (М.: Наука) 320 с. (1972)

[3] V. Ralchenko, A. Kromich, A. Vlasov Hydrogen Materials Science (Dordrecht: Kluver) p.
203–212 (2002)

20 December 2012

Похожие:

Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconИнструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на VII международную конференцию «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»

Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconРуководство по оформлению тезисов докладов
Авторские оригиналы тезисов будут объединены в сборники с минимальной правкой; этим объясняются настоящие жесткие требования к оформлению...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению тезисов докладов
Объем тезисов 1 страница печатного текста. При наборе тезисов использовать шрифт Times New Roman с одинарным интервалом. Поля: верхнее...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению тезисов, докладов и мультимедийных презентаций: Формат доклада и тезисов
Целью публичной защиты является формирование объективной оценки творческих способностей и интеллектуального потенциала участника...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению тезисов докладов
Для публикации принимаются тезисы докладов участников Третьей международной конференции молодых ученых насиг. Санкт-Петербург 12-13...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconИнструкция по подготовке и представлению докладов на годичную научную конференцию рау
В аннотации в сжатой форме излагаются основное содержание проведенного исследования и полученные результаты. Аннотация приводится...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению тезисов докладов, представляемых на шестую международную конференцию «Управление развитием крупномасштабных систем» mlsd’20121 Иванов А. В., Королев В. А
Текст набирается в программе Microsoft Word версии не ниже 97. Размер листа – А4 (210x297мм). Поля: верхнее – 3 см, нижнее – 2 см,...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению докладов и тезисов
К опубликованию и печати принимаются тексты, подготовленные в формате msword (. doc) отвечающие требованиям
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению и сроки представления тезисов докладов или докладов
Оргкомитет в элек­тронном виде в формате ms word 0, 0, 97 в виде файла на дискете 3,5 дюйма или распечатки в 2-х экземплярах с этого...
Инструкция по оформлению и представлению тезисов докладов на конференцию \" Аморфные и микрокристаллические полупроводники\" iconТребования к оформлению и сроки представления тезисов докладов или докладов
Оргкомитет в элек­тронном виде в формате ms word 0, 0, 97 в виде файла на дискете 3,5 дюйма или распечатки в 2-х экземплярах с этого...
Разместите кнопку на своём сайте:
ru.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©ru.convdocs.org 2016
обратиться к администрации
ru.convdocs.org